بلاذری، انساب الأشراف، ج۱، ص ۳۹٫۳ ↑
ابن هشام، عبد الملک(م ۲۱۳ق)، السیره النبویه، تحقیق مصطفى السقا وإبراهیم الأبیاری وعبد الحفیظ الشلبی، چاپ سوم، مصر، شرکه مکتبه ومطبعه مصطفى البابی الحلبی وأولاده، ۱۳۷۵ق، ج۱، ص۱۱۳؛ ابن خلدون، تاریخ، ج۲، ص ۳۹۶ ↑
. ابن هشام، السیره النبویه، ج۱، ص ۱۱۳؛ طبری، محمد بن جریر(م ۳۱۰ق)، تاریخ، چاپ دوم، بیروت، دارالتراث، ۱۳۸۷ ق، ج۲ ، ص ۲۵۵ ↑
. طبری، تاریخ، ج۲، ص ۲۵۸و۲۵۹ ↑
. ابن هشام، السیره النبویه، ج۱، ص۱۳۲ ↑
. همان، ص ۱۳۵ ↑
. ابن هشام، السیره النبویه، ج۱، ص ۱۳۶؛ طبری، تاریخ، ج۲، ص۲۵۲ ↑
. منافره، تفاخر طلبی جاهلی، همراه با دشمنی میان دو نفر بود که برای اثبات برتری خود، آن را در معرض قضاوت قرار می دادند. برتری یا شکست در منافره بر اساس «معیارهای» پذیرفته شده در جامعه جاهلی صورت می‌گرفت و تبعاتی در پی داشت. این سنت، پس از وفات پیامبر(ص) با تاثیر گرفتن از اختلاف‌های سیاسی مسلمانان و با تغییرهایی در ظاهر، دوباره سر برآورد و در شکل‌گیری عقاید کلامی تاثیر گذاشت. برای اطلاعات بیشتر ر.ک: آئینه وند، صادق، بررسی سنت منافره در جاهلیت و بازتولید و پیامدهای آن در دوران اسلامی ( با تکیه بر منافره های هاشمیان)، مطالعات تاریخ اسلام ، شماره ۱۸، سال ۱۳۹۲ش، ص۱۰ ↑

. طبری، تاریخ، ج۲، ص ۲۵۳ ↑
. آئینه وند، بررسی سنت منافره در جاهلیت و بازتولید و پیامدهای آن در دوران اسلامی ( با تکیه بر منافره های هاشمیان)، ص۱۴ ↑
. أهل البیت بر «آل پیامبر» دلالت دارد و با این عبارت شناخته شده‏اند در فارسی معادل خانواده است که بر طبق قراین وشواهد مصادیق آن متفاوت است. اهل بیت پیامبر(ص) مطابق حدیث کساء، حضرت علی، فاطمه و حسنین است. ر.ک: راغب أصفهانى، مفردات ألفاظ القرآن‏، ص۱۵۲؛ طریحی، مجمع البحرین، ج۲، ص ۱۲۴؛ مصطفوی، التحقیق فی کلمات القرآن الکریم‏، ج۱، ص۳۶۰ ↑
. یکی از مهمترین اقدامات پیامبر(ص) این بود که ۶ ماه متوالی از کنار خانه حضرت فاطمه(س) می‌گذشت و می‌فرمود: «الصلاه أهل البیت» ر.ک: بلاذُری، أحمد بن یحیى(م ۲۷۹ق)، جمل من أنساب الأشراف، تحقیق سهیل زکار وریاض الزرکلی، چاپ دوم، بیروت، دار الفکر، ۱۴۱۷ق، ج۲، ص ۱۰۴ ؛ پیداست اهل بیت پیامبر(ص) بر نماز مداومت داشتند، لیکن این اقدام پیامبر(ص) کاری نمادین بود که اهل بیت را به همگان معرفی می نمود و وجود آنها را به آیه تطهیر پیوند می‌زد. ↑
. مراد از متن قرآن و تفسیر آن است. ↑
. ابن حبیب، أبو جعفر(م ۲۴۵ق)، المنمق فی أخبار قریش، تحقیق خورشید أحمد فاروق، چاپ اول، بیروت، عالم الکتب، ۱۴۰۵ق، ص۸۱ ↑
. همان، ص ۸۳- ۱۰۹؛ص ۱۸۶-۱۸۹ ↑
. همان، صص۵۵-۵۷ ↑
. ریچارد بل پس از تاکید بر تاثیر سیاست عربستان از کشمکش دوقدرت بزرگ روم و ایران و تلاش این دو قدرت برای نفوذ در عربستان می نویسد: پس از آن که حکومت حبشیان از سال ۵۲۱ با بهره گیری از اختلافات دینی تحت سلطه امیراتوری بیزانس بود در سال ۵۷۵م تحت سلطه ایرانیان در آمد، ایرانیان کنترل بخشی از شهرهای کوچک در کرانه شرقی و جنوبی عربستان را به حمایت از جناح بومی طرفدار به دست آورد، بنابراین رومیان برای ایجاد حضوری متقابل، تمایل داشتند با کمک رساندن به عثمان بن حویرث در سال ۵۹۰م و قرار دادن وی به عنوان حاکم دست نشانده، مکه و عربستان را به کنترل خود در آورند. ر.ک: بل، ریچارد، درآمدی بر تاریخ قرآن، بازنگری و بازنگاری: و.مونتگمری وات، ترجمه بهاءالدین خرّمشاهی، قم، مرکز ترجمه قرآن به زبان های خارجی، چاپ اول، ۱۳۸۲ش ص ۲۵ ↑
. ابن حبیب، المنمق فی أخبار قریش، صص۵۵-۵۷ ↑
. ابن هشام، السیره النبویه، ج۱، ص ۱۹۸ ↑
. همان، ص۲۳۳ ↑
. همان ص۲۹۶ ↑
. حضرت امیرمومنان در نهج البلاغه ظهور پیامبر(ص) را این گونه تشریح می کند: از آن رو که حضرت به عنوان فردی که شجره وجودیش پاکترین شجره ها و دلایلش نیز روشن و راهش آشکار(خطبه ۱۶۰) ودلایلش الزام آور بود(خطبه ۲۲۷) در میدان نزاع میان عقاید(خطبه ۱۵۷) که رشته دین کسسته شدن شده بود (خطبه ۱۳۲) با نور قرآن به تصدیق آیین آسمانی برخواست(خطبه ۱۵۷) ↑
. ابن هشام، السیره النبویه، ج۱، ص ۲۹۳ ↑
. ر.ک: همان، ص ۴۱۹-۴۲۹ با اندکی دخل و تصرف. ↑
.انعام:۴۸ ↑
. احزاب: ۴۵؛ فتح:۸ و نیز ر.ک: سیدرضی، نهج البلاغه، خطبه ۱۰۴ ↑
. ر.ک: بل، درآمدی بر تاریخ قرآن، ص۵۴ با اندکی دخل و تصرف. ↑
. ر.ک: سید رضی، نهج البلاغه، خطبه ۱۰۸ ↑
. لَقَدْ أَرْسَلْنا رُسُلَنا بِالْبَیِّناتِ وَ أَنْزَلْنا مَعَهُمُ الْکِتابَ وَ الْمیزانَ لِیَقُومَ النَّاسُ بِالْقِسْطِ وَ أَنْزَلْنَا الْحَدیدَ فیهِ بَأْسٌ شَدیدٌ وَ مَنافِعُ لِلنَّاسِ وَ لِیَعْلَمَ اللَّهُ مَنْ یَنْصُرُهُ وَ رُسُلَهُ بِالْغَیْبِ إِنَّ اللَّهَ قَوِیٌّ عَزیزٌ. ↑
. ر.ک: طبرى، ابو جعفر محمد بن جریر، جامع البیان فى تفسیر القرآن، چاپ اول، بیروت، دار المعرفه، ۱۴۱۲ق، ج۲۷، ص ۱۳۷؛ طبرسى، فضل بن حسن، مجمع البیان فى تفسیر القرآن، تحقیق با مقدمه محمد جواد بلاغی، چاپ سوم، تهران، انتشارات ناصر خسرو، ۱۳۷۲ ش، ج۹، ص ۳۶۳ ↑
. ر.ک: ابن عربى، ابو عبدالله محیى الدین محمد(قرن۷)، تفسیر منسوب به ابن عربى، تحقیق سمیر مصطفى رباب، بیروت، دار احیاء التراث العربى، ۱۴۲۲ق، ج۲، ص ۳۲۲ ↑
. ر.ک: کلینى، الکافی، ج۱، ص ۱۶۹ ↑
. ر.ک: کلینى، الکافی، ج۱، ص ۱۶۹ ↑
. ر.ک: ابن الأثیر، عز الدین (م۶۳۰ق)، الکامل فی التاریخ، تحقیق عمر عبد السلام تدمری، چاپ اول، بیروت، دار الکتاب، ۱۴۱۷ق، ج۱، صص ۵۷۸- ۶۰۰ ↑
. ابن هشام، السیره النبویه، ج۱، ص ۵۱۱ ↑
. همان، ۵۱۳ ↑
. مائده: ۱۵، ۱۶، ۱۹ ونیز ر.ک: طباطبایی، المیزان، ذیل آیات نامبرده. ↑
. مانند عبد الله بن سلام: ر.ک: بلخی، تفسیر مقاتل، ج ۱، ص ۲۹۵ ↑
. ر.ک: آل عمران: ۱۱۰ ونیز ر.ک: طبرى، جامع البیان فى تفسیر القرآن، ج ۴، ص۳۰ و ۳۱؛ طبرسی، مجمع البیان، ج۲، ص۸۱۰؛ طباطبایى، المیزان، ج۳، ص۳۷۷ در آیه ۱۱۳ آل عمران از این گروه اندک به شب زنده داران یاد شده که در شبانگاه خداوند را سجده می کنند. و در آیه ۱۹۹ آل عمران این دسته از یهود، مومنان به خدا، پیامبر و قرآن دانسته شده اند و در صف مسلمانان قرار گرفته‌اند. در واقع در این آیه خداوند حساب این دسته از یهود را از سایر آنها که میان رسولان فرق می‌گذاشتند جدا نموده است. رک: طباطبایی، المیزان، ج ۴، ص ۸۹، در مقابل در آیه ۵۹ سوره مبارکه مائده نیز به توصیف عملکرد دسته دوم از یهود می‌پردازد که برای تخریب دین تلاش می‌نمودند. ↑
. ر.ک: نساء: ۱۵۳ ↑
. ر.ک: مائده ۶۸؛ طبرسی، مجمع البیان، ج۳، ص۳۴۶ ↑
. ر.ک: بینه:۱: َلمْ یَکُنِ الَّذینَ کَفَرُوا مِنْ أَهْلِ الْکِتابِ وَ الْمُشْرِکینَ مُنْفَکِّینَ حَتَّى تَأْتِیَهُمُ الْبَیِّنَهُ. ↑
. بینه: ۶ : إِنَّ الَّذینَ کَفَرُوا مِنْ أَهْلِ الْکِتابِ وَ الْمُشْرِکینَ فی‏ نارِ جَهَنَّمَ خالِدینَ فیها أُولئِکَ هُمْ شَرُّ الْبَرِیَّه. ↑
. ر.ک: نساء:۵۱ : أَ لَمْ تَرَ إِلَى الَّذینَ أُوتُوا نَصیباً مِنَ الْکِتابِ یُؤْمِنُونَ بِالْجِبْتِ وَ الطَّاغُوتِ وَ یَقُولُونَ لِلَّذینَ کَفَرُوا هؤُلاءِ أَهْدى‏ مِنَ الَّذینَ آمَنُوا سَبیلاً. ↑
. طباطبایی، المیزان، ج۴، ص۳۷۵ ↑
. ر.ک: فخررازی، أبو عبد الله محمد بن عمر(م ۶۰۶ق)، مفاتیح الغیب، چاپ سوم، بیروت، دار إحیاء التراث العربی، ۱۴۲۰ ق، ج ۲۵، ص ۱۶۴؛ طبرسی، مجمع البیان، ج ۸، ص ۵۵۱؛ طباطبایی، المیزان، ج۱۶، ص۲۹۱ ↑
. ر.ک: حشر:۲: هُوَ الَّذی أَخْرَجَ الَّذینَ کَفَرُوا مِنْ أَهْلِ الْکِتابِ مِنْ دِیارِهِمْ لِأَوَّلِ الْحَشْرِ ما ظَنَنْتُمْ أَنْ یَخْرُجُوا وَ ظَنُّوا أَنَّهُمْ مانِعَتُهُمْ حُصُونُهُمْ مِنَ اللَّهِ فَأَتاهُمُ اللَّهُ مِنْ حَیْثُ لَمْ یَحْتَسِبُوا وَ قَذَفَ فی‏ قُلُوبِهِمُ الرُّعْبَ یُخْرِبُونَ بُیُوتَهُمْ بِأَیْدیهِمْ وَ أَیْدِی الْمُؤْمِنینَ فَاعْتَبِرُوا یا أُولِی الْأَبْصارِ ونیز ر.ک: طبری، جامع البیان، ج ۲۸، ص ۲۰ ↑

a
abc
نمودار ۳-۱- مقایسه مراحل سلولی مختلف جنینی (درصد جنین ها) در موش سوری از نظر مورفولوژی نرمال(p<0/05)
از نظر آماری اختلاف معنی داری بین گروه های ۲ سلولی، ۴ سلولی و۸ سلولی با زیگوت مشاهده شد، همچنین اختلاف معنی داری بین گروه مورولا با گروه های زیگوت، ۲ سلولی و ۴ سلولی مشاهده گردید.
a
a
abc
a
نمودار ۳-۲- مقایسه مراحل سلولی مختلف جنینی (درصد جنین ها) در موش سوری از نظرلیز شدن (p<0/05)
از نظر آماری اختلاف معنی داری بین گروه های ۲ سلولی، ۴ سلولی و۸ سلولی با زیگوت مشاهده شد، همچنین اختلاف معنی داری بین گروه مورولا با گروه های زیگوت، ۲ سلولی و ۴ سلولی مشاهده گردید.
ab
ab
ab
نمودار ۳-۳- مقایسه مراحل سلولی مختلف جنینی (درصد جنین ها) در موش سوری از نظرکلیواژ (p<0/05)
از نظر آماری گروه های ۴ سلولی، ۸ سلولی و مورولا از لحاظ شکافتگی اختلاف معنی دار با گروه های زیگوت و ۲سلولی، نشان می دهند.
abcd
ab
ab
نمودار ۳-۴- مقایسه مراحل سلولی مختلف جنینی (درصد جنین ها) در موش سوری از نظررسیدن به مرحله بلاستوسیست (p<0/05)
از نظر آماری اختلاف معنی داری بین گروه های ۴ سلولی و ۸ سلولی با گروه های زیگوت و ۲سلولی مشاهده شد، و همچنین اختلاف معنی دار بین گروه مورولا با گروه های زیگوت، ۲ سلولی، ۴ سلولی و ۸ سلولی نشان داده شده است.
abcd
ab
ab
نمودار ۳-۵- مقایسه مراحل سلولی مختلف جنینی (درصد جنین ها) در موش سوری از نظر متوقف شدن (p<0/05)
از نظر آماری اختلاف معنی داری بین گروه های ۴ سلولی و ۸ سلولی با گروه های زیگوت و ۲سلولی نشان داده شده است، و همچنین اختلاف معنی دار بین گروه مورولا با گروه های زیگوت، ۲ سلولی، ۴ سلولی و ۸ سلولی نشان داده شده است.
a
a
a
ab
نمودار ۳-۶- مقایسه مراحل سلولی مختلف جنینی (درصد جنین ها) در موش سوری از نظر متوقف شدن از نوع ۱(p<0/05)
از لحاظ آماری درصدی ازگروههای ۲ سلولی، ۸ سلولی و مورولای متوقف شده مربوط به تیپ یک، اختلاف معنی داری را با گروه زیگوت نشان دادند، همچنین گروه ۴ سلولی دارای اختلاف معنی دار با گروه های زیگوت و ۲ سلولی بود.
a
نمودار ۳-۷- مقایسه مراحل سلولی مختلف جنینی (درصد جنین ها) در موش سوری از نظر متوقف شدن از نوع ۲ (p<0/05)
از نظر آماری در این مرحله تنها درصدی از جنین های مرحله دو سلولی که دچار توقف تیپ ۲ شده بودند اختلاف معنی دار با گروه زیگوت را نشان دادند.
b
ab
نمودار ۳-۷- مقایسه مراحل سلولی مختلف جنینی (درصد جنین ها) در موش سوری از نظر متوقف شدن از نوع ۳ (p<0/05)
از نظر آماری درصدی از جنین های مرحله ۴ سلولی که دچار توقف تیپ ۳ شده بودند اختلاف معنی دار با گروه های زیگوت و ۲ سلولی را نشان دادند و همچنین گروه ۸ سلولی نیز دارای اختلاف معنی دار با گروه ۲ سلولی بود.
فصل چهارم
بحث
۴- بحث
حفاظت انجمادی تخمک ها و جنین ها تکنولوژی مهمی در حفظ باروری، ذخیره ژنتیکی تخمک و جنین پستانداران و نگهداری آنها به منظور استفاده در فرایند شبیه سازی می باشد .(Fujiwara et al., 2010)با وجود اهمیت این فرایند و پیشرفت های اخیر کفایت انجماد تخمک و جنین پستانداران هنوز پایین می باشد. لذا تلاش های زیادی با بهره گرفتن از پروتکل های مختلف در جهت انجماد تخمک و جنین گونه های مختلف صورت گرفته است که در این روش ها رسیدن تخمک ها و جنین های انجمادی به مرحله بلاستوسیست یکی از معیارهای موفق این پروتکل ها می باشد. بنابراین برای استفاده بهینه از تخمک ها و جنین های انجمادی در زمینه بیولوژی تولید مثل استفاده از روش های انجماد موفق ضروری است.(Succu et al., 2008) در این راستا این مطالعه به بررسی روش انجمادی و مقایسه میزان تکوین و میزان کلیواژ و پیشرفت رشد تا مرحله بلاستولا در جنین های منجمد- ذوب شده موش سوری در مراحل زیگوت، دو سلولی، چهار سلولی، هشت سلولی و مورولا می پردازد. لازم به ذکر است که انتخاب نوع روش انجماد شیشه ای، حساسیت جنین ها به فرایند انجماد شیشه ای، لقاح آزمایشگاهی و همچنین مراحل مختلف رشد جنینی می تواند بر نتایج حاصل از انجماد- ذوب جنین ها در مراحل مختلف رشد سلولی موثر باشد که به شرح آنها پرداخته می شود.

۴-۱- انجماد شیشه ای^[۱۰۵]
با توجه به کاستی هایی که در روش انجماد کند وجود دارد عده ای از محققین تلاش کردند تا این مشکلات را برطرف کنند. تحقیقاتی که برای پیدا کردن روش دیگری که بتواند در زمان کوتاه تر و با حذف مراحل متعدد جنین را منجمد کند نهایتا به ابداع روشی از سوی Rall در سال ۱۹۸۵ منجر شد. که این روش انجماد شیشه ای نامیده می شد (Rall, 1985).
انجماد شیشه ای یک روش جدیدی است که در آن از تشکیل یخ خارج سلولی و داخل سلولی جلوگیری می شود و یک وضعیت شبیه به شیشه ایجاد می شود. در دماهای پایین محلولها بسیار غلیظ می شوند و یک حالت جامد بدون اینکه بلور یخ تشکیل شود ایجاد می شود این حالت در اثر دهیدراسیون و افزایش بسیار زیاد در غلظت رخ می دهد که سرعت های بسیار زیاد انجماد از ºC/min 30000-15000 عامل آن است.
Fahy در سال ۱۹۸۴ در مقاله ای با توصیف انجماد شیشه ای و عوامل موثر در آن پیشنهاد کرد که این روش بتواند برای نگهداری سلولها و اعضاء بکار گرفته شود. وی می گوید، به کمک انجماد شیشه ای در جریان انجماد جنبش ملکولها متوقف شده و ساعت بیولوژیک از کار می افتد در حالی که آندسته از تغییراتی که در جریان انجماد کند در سلولها رخ می دهد پیش نمی آید. Rall وهمکارش Fahy برای انجماد جنین ۸ سلولی موش از روش انجماد شیشه ای استفاده کردند. آنها جنین موش را در حضور مخلوطی از مواد محافظ انجمادی شامل۵/۲۰ درصد W/V دی متیل سولفوکساید، ۵/۱۵ درصد استامید، ۱۰ درصد پروپیلن گلایکول و ۶ درصد پلی اتیلن گلیکول که تحت عنوان VS نامیده شده بود، با سرعتهای ۲۰، ۵۰۰و۲۵۰۰ درجه در دقیقه سرد و با سرعتهای۱۰،۳۰۰ و ۲۵۰۰ درجه در دقیقه ذوب کردند. بالاترین میزان رشد در حالتی بوجود آمد که جنین ها را با سرعت ۲۵۰۰ منجمد و ذوب کرده بودند. آزمایشات Rall نشان داد در صورتی که مقدار مواد ضد یخ در محیط افزایش یابد(<40% حجم محلول) آب داخل و خارج سلول در جریان انجماد به بلورهای یخ تبدیل نمی شوند بلکه در عوض بدون افزایش حجم به ماده­ای غلیظ و سرد تبدیل می شوند و در نتیجه به سلول آسیب نمی رسانند. همین محقق با همکارانش در سال ۱۹۸۷ در مقاله ای اصول حاکم بر انجماد شیشه ای را بررسی کرد و با مرور مطالعات گذشته اظهار کرد که از این روش می توان در انجماد سلولها و برخی از بافتها استفاده کرد. در حقیقت در این روش با جلوگیری از تشکیل بلورهای یخ متعاقب افزایش غلظت مواد موجود در جنین و محلولی که جنین در آن قرار گرفته از بروز صدمات وارده به دنبال تشکیل بلورهای یخ جلوگیری می شود.
در تحقیق حاضر، اتیلن گلیکول ۱۰درصد و ۲۰درصد و دی متیل سولفوکساید ۱۰ درصد و ۲۰درصد (به ترتیب برای VS1 و VS2) استفاده شده است که مشابه مواد استفاده شده در تحقیق Rall و Fahy می باشد با این تفاوت که در این تحقیق از سایر مواد استفاده شده در تحقیقات Rall و Fahy استفاده نشده است و قند به کار رفته در این تحقیق سوکروز می باشد.
ولی تحقیقات بعدی توسط Massip و همکارانش (Massip et al., 1986)ضمن معرفی محلول جدیدی برای روش انجماد شیشه ­ای نشان داد که حضور تمام مواد پیشنهاد شده توسط Rall برای انجماد شیشه ای ضرورت ندارد، محلول ضد یخی که Massip و همکارانش استفاده کردند مخلوطی از ۴/۳ مول گلیسرول، ۴/۳ مول پروپیلن گلیکول بود به علاوه از ماده ای مانند استامید استفاده نشده بود و غلظت ضد یخ نفوذ ناپذیر (ماکروملکول) نیز در آن بشدت کاهش یافته بود (حدود ۳/۰ درصد) وی گزارش کرد که این محلول برای حفاظت جنین گاو و موش در مرحله مورولا و بلاستوسیست قابلیت خوبی داشته است. هر چند که این محلول برای نگهداری بلاستوسیست ها به خوبی مورولا نبوده است .
در این تحقیق تعداد مواد استفاده شده مشابه با تحقیقات Massip و همکارانش و مخالف با تحقیقات Rall و Fahy می باشد و نتایج به دست آمده همانند نتایج حاصل از کار Massip و همکارانش بوده که مورولا بهترین نتیجه و بالاترین درصد زنده ماندن را در مقایسه با سایر مراحل رشد داشته است.
Rall و همکارانش در گزارشی به سال ۱۹۸۷ با بهره گرفتن از همان مخلوط ضد یخی که در اولین گزارش خود بکار برده بودند آزمایش دیگری را طراحی کردند. بدین صورت که محلول ضد یخ را بطور تدریجی از ۲۵ درصد تا ۱۰۰ درصد وارد محیط جنین ها کردند و سپس جنین ها را مستقیما در نیتروژن مایع قرار دادند(ºC~ 2500 در دقیقه) و در مرحله بعد جنین های منجمد را با تکان دادن در آب ۲ درجه سانتی گراد ذوب کردند و ضد یخ را بصورت نزولی از محیط خارج کردند و تعدادی از جنین ها را نیز تنها در محلولهای ضد یخ قرار دادند و بدون منجمد کردن مجدد، ضد یخ را از محیط خارج کردند. آزمایشات آنها نشان داد که اولا جنین هایی که وارد نیتروژن نشده بودند درصد زنده و رشد بهتری داشتند ثانیا جنین هایی که مستقیما در محلول صد در صد ضد یخ قرار داده شده بودند درصد رشد پایین تری داشتند. آنها همچنین با قرار دادن جنین های منجمد-ذوب شده در رحم موشهای همان نژاد توانستند تعدادی نوزاد موش بدنیا آورند و بدین ترتیب نشان دادند که روش انجماد شیشه ­ای می تواند نتایج قابل قبولی داشته باشد و در صورت انتقال جنین به مادر به تولد نوزاد منجر شود.

در ابزار اول، واحد اندازه گیری زاویه است. برای تعیین این زوایا از سنسور شار ورودی که بر روی تلسکوپ یک زاویه سنج غیر مغناطیسی نصب شده است، استفاده می شود تا زمان عمود شدن آن بر بردار میدان مغناطیسی باشد ردیابی گردد.

تصویر ۶-مناطق پایش گر در نقاط مختلف زمین
برای تعیین D,I شمال واقعی با مراجعه به یک علامت ثابت در یک ارتفاع مشخص تعیین می شود. این کار با پایش نجومی انجام می گیرد. اندازه گیری توسط یک شاردروازه زاویه سنج تنها به صورت دستی انجام می گیرد. در حالیکه، یک مغناطیس متر پروتونی می تواند به صورت خودکارکار کند.
سومین گزینه مقادیر اندازه گیری شده نیمه دقیق را مقایسه می کند. این ها ابزار هایی هستند که انحراف از یک میدان که به صورت با قاعده و با بهره گرفتن از یک ابزار دقیق تعیین شده اند.

جمع آوری داده ها و کنترل کیفیت

BGSو NGDCاطلاعات و داده های پایش را از طریق مشارکت فعالانه خود در سیستم مرکزی داده ­های دنیا جمع­آوری می کند .
آنها اطلاعات و داده های مناسب برای مدلسازی میدان مغناطیسی را نگه می دارند. با سازمانهایی که داده های پایش مغناطیسی را به کار می برند در تماس اند و با سایر WDC ها همکاری دارند.
هر سال BGS درخواست خود راجع به دریافت آخرین داده ها و سایر اطلاعات وابسته را به همه سازمانهایی که در حوزه پایش داده ­ها کار می­ کنند می­فرستد. WDC ها در ادینبورگ BGS و بولدرNGDC مقادیر متوسط سالیانه یکسانی را برآورد می کنند.WDC ها در کپنهاگ و بولدر نیز مقادیر متوسط ساعتی یکسانی را بر آورد می کنند. مقادیر متوسط ساعتی که برای WMM استفاده می شوند، از سایت WDC کپنهاگن دریافت می شوند.
BGS نیز فعالانه داده های پایش جهانی را از طریق مشارکت خود در اینترمگنت^[۲۹] (بین مغناطیسی) جمع آوری می کند. کار اینتر مگنت ایجاد یک شبکه جهانی از پایش گره های مغناطیسی مرتبط به منظور هماهنگ کردن مشخصات استاندارد مدرن برای تجهیزات اندازه گیری و ثبت و ضبط داده ها است. اینکه بتواند از این طریق تبادل داده ها را تسهیل کرده و تولید ابزار مغناطیس سنج زمین را به زمان واقعی نزدیک کند.
کیفیت داده ای که یک پایشگر تولید می کند، بستگی به مسئولیت پذیری اپراتور دارد. مهمترین جنبه مدلسازی جهانی پایداری خطوط پایه است. یک خط پایه عبارت است از اختلاف بین داده های متغیر متری کالیبره شده، و پایش های دقیق. یک خط پایه با نقاط بسیار، پراکندگی پایین، حرکت آرام و جابجایی کم نشانه ای از یک کیفیت عالی است. نقشه های خطوط پایه برای پایش های اینتر مگنت بر رویCD های سالیانه ای از داده های تعیین شده آورده شده اند. اطمینان از کیفیت و کنترل اندازه ها، به غیر از آنچه که توسط کاربر پایش گری انجام می گیرد، توسط اینتر مگنت از طریق برنامه استانداردسازی پایشگری آن انجام می گیرد. مراکز داده های جهانی، و با شرکت بسیاری از کاربران پایشگر در کارگاه های پایشگری بین المللی مرتبط با مغناطیس زمین آخرین پروسه کنترل کیفیت پایش از اجرای WMM توسط BGS انجام می گیرد. برای متوسط های ساعتی، این عمل شامل رسم کلیه داده ها برای تشخیص خطا های توپوگرافیک و پرش ها و رسم اختلاف بین داده ها و مدل های جهانی اولیه برای تشخیص حرکت های آرام است.

انتخاب داده برای WMM2005

WMM میدان اصلی (Bm) و تغییرات آرام آن با زمان را مدل می کند (تغییرات سکیولار برای ۲۰۰۵ تا ۲۰۱۰). با این وجود، میدان مغناطیسی زمین آنچنان که بر روی سطح زمین اندازه گیری می شود و یا در ماهواره ، عرض جغرافیایی یک ترکیب از چندین میدان مغناطیسی است. ریسک بایاس کردن مدل Bm بسیاری از میدانهای تولید شده در خارج از زمین بسیار متغیر است و نسبت به زمان و مدلسازی آنها مشکل است. پروسه انتخاب داده ها از این رو به منظور کمینه کردن سهم این میدان ها و اثرت القا شده آنها در زمین است. سه گزینه استاندارد وجود دارد:
۱- اطلاعات فقط در نیمه شب زمین انتخاب شده اند
۲- داده فقط در دوره های آرام مغناطیسی انتخاب شده است
۳-فقط داده های اسکالر در عرض های جغرافیایی بالا انتخاب شده اند.
اولین استاندارد برای کمینه کردن توزیع سهم میدان مغناطیسی تولید شده در یونوسفر بسیار موثر است. چون هدایت یونوسفر تنها در نیمه روز زمین بالا است. دوره های آرام مغناطیسی شامل آن بازه های زمانی است که میدانهای خارجی به شدت ضعیف هستند و زمانیکه آنها نسبت به زمان تغییرات اضافی ندارند. شناخت دوره های آرام مبتنی بر اندیس های DST و  است. (محاسبه از داده های پایشگری) از قدرت و راستای اندازه گیری شده میدان مغناطیسی درون سیاره ای( IMF ) و سرعت بادهای خورشیدی خواهد بود. داده های اسکالر در ارتفاع بالا انتخاب شده است تا اثرات سیستم های جریانی موجود را در این مناطق به کمترین مقدار ممکن برساند؛ این مناطق به نوبه خود باعث تولید نویز بسیار زیادی در داده های برداری می شوند.
اندیسkp صفحه ای بر مبنای اندیس K است. یک اندیس موضعی از دامنه ای سه ساعتی در فعالیت مغناطیسی دو مولفه افقی میدان x,y نسبت به یک منحنی مفروض و روز آرام برای پایش مغناطیس زمین درجه اغتشاشات موضعی با اندازه گیری در بازه های زمانی ۳ ساعته برای بسیاری از مولفه های میدان مغناطیسی دچار اغتشاش شده انجام می گیرد. سپس این دامنه، با بهره گرفتن از یک محور لگاریتمی شده که متعلق به وضعیت معلوم است، به یک اندیس K موضعی تبدیل می شود. این کار تلاشی برای نرمال کردن فرکانس حدوث اغتشاشات با اندازه­ های مختلف است. اندیس Kp سه ساعته (میانگین مقدار K از ۱۳ مورد انتخاب شده از میان مشاهدات ایستگاههای لرویک، اسکدالمیور و هارتلند) که در مقیاس سه تایی ارائه شده­است (۲۸ مقدار).
ذرات بارداری که توسط میدان مغناطیسی زمین در حرکت های آرام مگنتوسفر حول زمین در فاصله­ای معادل ۳ تا ۸ برابر شعاع زمین به دام افتاده اند، یک حلقه جریان الکتریکی در راستای غرب ایجاد می کنند. که میدان آن با میدان مغناطیسی اصلی زمین مخالفت می کند. قدرت این میدان از مرتبه ۱۰ هاnT در دوره های زمانی آرام و چندین صد nT در زمان بادهای مغناطیسی است. جریان وقفه مغناطیسی^[۳۰]، دم و حلقه جزئی موجب اغتشاشات اضافی می شوند و باعث عدم تقارن در میدان می شوند که در مدت طوفانهای مغناطیسی افزایش یافته اند. قسمت متقارن این میدان مزاحم مرکب توسط DST بررسی شده است. زمان طوفان مزاحم برای ۴ مورد پایش و اندازه گیری در ارتفاع پایین به دست آمده است.
از آنجایی که WMM با اهداف تحقیقاتی مورد استفاده قرار می­گیرد، باید بتواند به صورت دقیق مقادیر میدان مغناطیسی را برای یک بازه زمانی ۵ ساله محاسبه کند. بر این اساس، توانایی در محاسبه تغییرات ارضی، خیلی مهم است و داده های بازه های زمانی طولانی در این مرحله به کار می آید.

انتخاب و پیش پردازش برای مدل ها

مجموعه داده های ماهواره ای اورستد و چمپ نیازمندی های WMM را برطرف می کنند. چمپ پایین تر از دو ماهواره قرار دارد و از اینرو در معرض سطح آلودگی بیشتری است. این آلودگی ناشی از سیگنال میدان پوسته و همچنین سیستم های جریان الکتریکی که بین سطح زمین و مسیر ماهواره در جریان است، می باشد. از سوی دیگر، داده های چمپ که در ارتفاع پایین به دست آمده قید های بهتری را بر روی طول موج های کوچک مدل میدان مغناطیسی داخلی، تامین می کند.
هر دو ماهواره، داده های برداری و اسکالر با کیفیت بسیار بالا در تمام عرض ها و طول های جغرافیایی تأمین می کنند. گپ ها کاملاً در اتصالات بین مجموعه داده های متوسط ساعتی پایش شده تقریباً در کل دوره مورد نظر پیوسته است. هرچندکهپوشش فضایی ضعیفاستشکل۱ضمیمه (الف) داده های پایشی از اینرو قید های خوبی را در مدت زمان تغییرات میدان مغناطیسی زمین به دست می دهد. سطح نویز در داده های پایش بیشتر از داده های ماهواره ای است. که علت آن نزدیکی پایشگرها به اجسام هادی در پوستهاست.میدان هایخارجیمتغیر بازمان،جریان هایالکتریکی را به اینهادی ها القا می کند و باعث تولید تزاحم مغناطیسی در پایشگرها می شود.
مقادیر اندازه گیری شده مغناطیسی ماهواره چمپ بدلیل اثر دیا مغناطیسی محیط پلاسمای اطراف، تحت تأثیر قرار می گیرد و باعث کاهش توانایی خواندن میدان مغناطیسی می شود. این اثر در مرتبه یک چندnT بوده و در نزدیکی استوای مغناطیسی در ساعت های پیش از نیمه شب قوی تر است. با بهره گرفتن از چگالی الکترون و دماهای خوانده شده توسط پراب(سنجنده) لانگمور چمپ، یک اصلاح دیا مغناطیسی ساده بر روی داده های چمپ اعمال می شود.

انتخاب برای توانایی پیشگویی پیشرو تا ۲۰۱۰

پیشگویی تغییرات سکیولار تا ۲۰۱۰ تا حدودی وابسته به مجموعه طولانی از پایش های متوسط سالیانه در X،Y،Z از آنجایی که داده های ماهواره و داده های متوسط ساعتی پایش فقط حدود ۵ سال را پوشش می دهند. این شامل انتخاب موضوعی بر مبنای پیوستگی و طول مجموعه های زمانی و توانایی پایش و رسم داده ها برای شناسایی، پرش های تعیین نشده و اولین قسمت های ضبط شده که نویزی بوده اند. هر عدم پیوستگی شناخته شده به عنوان مثال ناشی از تغییر موضع ستون، پایه- های پایش مطلق به کار گرفته شده است. لیست پایشگرهای استفاده شده و پوشش زمانی در جدول ۶ ضمیمه (ب) آمده است.

روش های مدلسازی

ابتدا یک مدل اصلی بر اساس تمامی داده ­های موجود تشکیل داده می­ شود، تا به منظور سنتز مقادیر میدان مغناطیسی در خلال (۱۹۹۹-۲۰۰۰ الی ۲۰۰۴-۲۰۰۵) مورد استفاده قرار گیرد.

پیش ­بینی تغییرات ارضی

پیش ­بینی تغییرات آتی میدان مغناطیسی، از روی داده ­های میانگین سالیانه مشاهده شده بلندمدت و نیز برون­یابی چند جمله­ای مدل اصلی و بر اساس داده ­های ماهواره­ای و مقادیر میانگین ساعتی مشاهده شده انجام می­گیرد. داده ­های میانگین با بهره گرفتن از تعیین و اعمال فیلترهای خطی پیش ­بینی کننده بر سری تفاضلی مرتبه اول پردازش می­شوند و حاصل تقریبی از تغییرات ارضی تا سال ۲۰۱۰ (مک میلان و کوئین ۲۰۰۰) قابل استفاده می باشد.

تکنیکهای وزن­دهی به داده ­ها

یکی از عمده­ترین مسایل در حین مدلسازی میدان ژئومغناطیسی، برآورد وزنی است که باید به هر یک از دسته داده ­ها اعمال گردد و در هر دسته از داده ­ها، وزنی که باید به هر یک از داده ­ها اعمال گردد. در اصل داده ­ها را باید با معکوس واریانس خطای اندازه ­گیری وزن دهی کرد، اما این واریانس نیز به نوبه خود اغلب مجهول است. علاوه بر این، مدل های میدان مغناطیسی، تمامی منابع میدان مغناطیسی اندازه ­گیری شده را مدل نمی­کنند بنابراین وزن داده ­ها باید تأثیر این سیگنال های مدل نشده را نیز در خود بگنجانند. به منظور حفظ اثرات چگالی در نزدیکی قطبین و افزایش میزان نویز در عرض جغرافیایی بالا، به داده ­های حاصل از ماهواره­ها در این محدوده­ها وزن کاهیده اعمال می­ شود. روند مشابهی در بکارگیری داده ­های مشاهداتی مورد استفاده قرار می­گیرد که توزیع آنها در اروپای غربی و آمریکای شمالی زیاد است و در نیمکره جنوبی کم است.
لایه یونوسفر در عرض جغرافیایی بالا، همواره در معرض بارش ذرات بارداری است که باعث می­شوند رسانایی آن حتی در شرایط تاریکی مطلق بالا باشد. تأثیر میدانهای مغناطیسی مگنتوسفیر در یونوسفر قطبی ظاهر می­ شود و سیستم های مختلف جریان از آن مشتق می­شوند. این سیستم جریانها خیلی متغیر هستند اما حتی در دوره­ های سکوت مغناطیسی نیز وجود دارند. بنابراین داده ­های جمع­آوری شده در این نواحی باید به دلیل وجود نویز بالا با وزن کاهیده در سری دخالت داده شوند. به همین منوال، داده ­های برداشت شده در طلوع و غروب خورشید از آنهایی که در نیمه­شب برداشت می­شوند خیلی نویزدارتر هستند؛ علی­الخصوص در ارتفاعات بالا این مسئله جدی­تر است و وزن­دهی باید به نحوی صورت گیرد که این نکته را در خود لحاظ کند. چگالی بالای داده ­بَرداری ماهواره­ای در عرض جغرافیایی بالا، و شکافی که در داده ­های مربوط به قطبین وجود دارد، از خصوصیات مدار ماهواره ناشی می­ شود. سایر نامنظمی­های پوشش داده ­های فضایی از ارجح بودن انتخاب داده ­های مربوط به دوره سکوت ناشی می­ شود. جهت جبران معضل ناشی از داده ­های نامساوی، تعداد­ داده ­ها در نواحی مساوی شمرده می­ شود و داده ­های هر یک از نواحی در معکوس تعداد داده ­های همان ناحیه ضرب می­ شود.

قطب مغناطیسی و محل دوقطبی خارج از مرکز

قطبهای ژئومغناطیسی، که از آنها تحت عنوان دو قطبی نیز یاد می­ شود را می­توان از طریق ۳ ضریب نخست گاوسی مورد محاسبه قرار داد. با بهره گرفتن از ضرایب WMM2005 که در سال ۲۰۰۵ برای قطب مغناطیسی شمالی محاسبه شده­است، این قطب در طول جغرافیایی ۷۸/۷۱ درجه غربی و عرض جغرافیایی ژئودزی ۷۴/۷۹ درجه شمالی قرار دارد؛ و قطب جنوب ژئومغناطیسی در طول جغرافیایی ۲۲/۱۰۸ درجه شرقی و عرض جغرافیایی ۷۹/۷۴ درجه جنوبی قرار دارد.
قطبهای مغناطیسی که با عنوان قطبهای فرورفته نیز شناخته می­شوند، از تمامی ضرایب گاوسی و با بهره گرفتن از یک روش تکراری محاسبه می­شوند. در سال ۲۰۰۵ قطب مغناطیسی شمالی در طول جغرافیایی ۲۳/۱۱۸درجه غربی و عرض جغرفیایی ژئودزی ۲۱/۸۳ درجه شمالی قرار داشت و قطب جنوب مغناطیسی در طول جغرافیایی ۸۶/۱۳۷ درجه شرقی و عرض جغرافیایی ۵۳/۶۴ درجه جنوبی قرار داشت. در عمل، میدان ژئومغناطیسی در این قطبین فرورفته کاملاً قائم است، اما در طول روز مسیر هایی به صورت بیضی­گون را طی می­ کند که از روزی به روز دیگر تغییرات چشم­گیری دارد و تقریباً در مرکز موقعیت فرورفتگی قرار دارد.
موقعیت مرکز دوقطبی خارج از مرکز که از آن با عنوان مرکز مغناطیسی نیز یاد می­ شود، با بهره گرفتن از ۸ ضریب اول گاوسی محاسبه می­ شود که در سال ۲۰۰۵ تقریباً  بوده ­است.

پارامتری­سازی مدل

میدان هندسی اندازه ­گیری شده در سطح زمین یا در مدار ماهواره، حاصلجمع میدانهای حاصل از منابع داخلی یا خارجی کره زمین است. برخلاف منابعش، میدان مغناطیسی داخلی B یک میدان پتانسیل است و بنابراین می­توان آن را به صورت منفی گرادیان یک کمیت اسکالر نوشت. این پتانسیل برحسب ترمهای هارمونیک کروی به صورت ذیل نوشته می­ شود:

که در آن a (2/6371 کیلومتر) شعاع مرجع میدان مغناطیسی استاندارد زمین است،  عرض جغرافیایی، طول جغرافیایی و شعاع در یک دستگاه مختصات مرجع کروی ژئوسنتریک است و  ضرایب گاوسی وابسته به زمان از درجه n و مرتبه m است که منشاءهای داخلی میدان را توصیف می­ کند.  توابع لژاندر شبه نرمال اشمیت هستند.[ضمیمه الف]

۱- عبس الخطبُ فابتسِم وَ طغی الهولُ فاقتحِم ( ابراهیم ط. ، ۲۰۰۵م ، ص۲۷۱)
بلا و سختی عبوس شد پس تو لبخند بزن ، ترس و خوف طغیان کرد پس تو خطر کن .
دواستعاره در کلمات « الخطب » و « الهول » وجود دارد .
نوع استعاره ها : مکنیه
۲- نفسُهُ طوعُ هِمَّهٍ وَجَمَت دونَها الهمم ( همان ، ص۲۷۱)
درونش فرمانبردار همتی است که همتهای زیادی در مقابلش شرمگین شدند .
استعاره در کلمه « الهمم »
نوع استعاره : مکنیه
۳- ربّما غالَه الرّدی وَ هوَ بالسِّجنِ مُرتهن ( همان ، ص۲۷۲)
چه بسا که مرگ اورا غافلگیر کرده در حالی که در گرو زندان است .
استعاره در کلمه « الرّدی »
نوع استعاره : مکنیه
۴- لستَ تدری بطاحُها غیَّبَته أم القنَــن ( همان ، ص۲۷۲)
نمی دانی جلگه هایش او را پنهان کردند یا قله هایش .
استعاره در کلمه « بطاح »
نوع استعاره : مکنیه
۵- إنّه کوکبُ الهدی لاحَ فی غیهب المِحَـن (همان ، ص۲۷۳)
او ستاره هدایت است که در تاریکی محنت درخشید .
استعاره در کلمه « المحن »
نوع استعاره : مکنیه
۶- ناح الأذانُ وَأعوَلَ الناقوسُ فاللیل أکدرُ، وَالنّهارُعَبوسُ (همان ، ص۲۷۵)
أذان فغان و شیون سرداد و ناقوس فریاد بر آورد ، شب تیره و تار شد و روز گرفته و عبوس .
دواستعاره در کلمات « الأذانُ » و « الناقوسُ » وجود دارد .
نوع استعاره ها : مکنیه
۷-والمِعوَلُ الأبدیّ یُمعِنُ فی الثری لِیَرِدَّهم فی قلبها المتحجّرِ(همان ، ص۲۷۵)
و کلنگی جاودان در خاک فرو می رود تا آنها را در قلب سنگی زمین فرو نهد .
استعاره در کلمه « المِعوَلُ »
نوع استعاره : مکنیه مرشحه
۸- یوم ٌ أطلَّ علی العصورالخالیه ودعا : « أ مرَّعلی الوری أمثالیَه؟» (همان ، ص۲۷۵)
روزی که مشرف بر عصور گذشته بود ندا سرداد : آیا بر خلق چون منی گذشته است ؟
استعاره در کلمه « یوم ٌ »
نوع استعاره : مکنیه
۹- وطنٌ یسیرُ إلی الفنـاء بلا رِجـــاء (همان ، ص۲۷۸)
وطنی است که بدون امید به سوی نابودی می رود .
استعاره در کلمه « وطنٌ ٌ»
نوع استعاره : مکنیه مرشحه
۱۰- صخرٌ أحسَّ رجاءَنا فتصَدَّعا وَ أتی الرجاءُ قلوبَهُم فتقطَّعا (همان ، ص۲۸۰)
صخره ای که امید ما را احساس کرد شکسته شد و امیدی که در قلبهایشان پدیدار شد آنها را شکافت .
دو استعاره در بیت وجود دارد : ۱- استعاره در کلمه « صخرٌ »
نوع استعاره : مکنیه مطلقه
۲- استعاره در کلمه « أتی »
نوع استعاره : مصرحه تبعیه
۱۱- وَ صغارِکَ الأشبالِ تبکی اللّیث بالدّمع الغزیــر (همان ، ص۲۸۴)
و شیر بچه هایت که با اشکهای فراوان بر شیری قوی می گریند.
استعاره در کلمه « اللّیث »
نوع استعاره : مصرحه مرشحه
۱۲- وَ لَقمتَ تضمِدُ جُرحَهُ لو کُنتَ مِن أهلِ الفطَن (همان ، ص۲۸۸)
و اگر خردمند بودی، زخمش را مداوا می کردی.
استعاره در کلمه « هُ »
نوع استعاره : مکنیه مرشحه
۱۳- الیومَ یشربُ موطنی کأسَ الهناء لکم دَهاقا (همان ، ص۲۸۹)
امروز سرزمین من جام افتخار را لبالب برایتان می نوشد .

در تقویت الکتروشیمیایی، الکترون­های الکترود­ها عوامل اکسنده و کاهنده اند:
P + e^-→ P^-
P– e^-→ P⁺
در این­جا باید به این نکته توجه کرد که تقویت با بهره گرفتن از الکترود­ها صورت می­گیرد، اما عوامل تقویت کننده به عنوان یون مخالف، خنثی بودن الکتریکی پلیمر را تامین می­ کنند.
این نوع تقویت هم با بهره گرفتن از الکترولیت مایع و هم با بهره گرفتن از الکترولیت جامد انجام می­گیرد و به ولتاژ حساس است و با کنترل این عوامل می­توان به رسانایی دلخواه در پلیمر رسید.
۲-۳-۵- برگشت­پذیری
هرچند برگشت­پذیری تقویت پلیمر­های رسانا بسیار مورد بحث بوده است و دانشمندان نظرات ضد و نقیضی در این مورد داشته اند، اما آن­چه امروزه پس از بررسی­های فراوان پذیرفته شده است این است که تقویت یک پدیده برگشت­پذیر است. این پدیده که به عنوان تخریب پلیمر­های مزدوج تقویت شده شناخته می­ شود و به مفهوم کاهش رسانایی این پلیمر­هاست موضوعی است که باید بررسی شود تا در مواردی از آن جلوگیری و در موارد دیگر از آن استفاده کرد. برگشت­پذیری به عوامل محیطی، ساختار پلیمر و … وابسته است[۱۱].
۲-۴- روش­های تهیه پلیمر­های رسانا
روش ثابتی برای تهیه پلیمر­های آلی که می­توانند به پلیمر­های رسانا تبدیل شوند نمی­ توان پیشنهاد کرد. به طور کلی پلیمر­های رسانا را می­توان با هر یک از روش­های پلیمر شدن شیمیایی، پلیمرشدن فوتوشیمیایی، پلیمر شدن امولسیونی تغلیظ شده، پلیمر شدن حالت جامد، پلیمر شدن پلاسمایی و پیرولیز تهیه نمود[۵]. از میان روش­های مذکور، پلیمر شدن شیمیایی و الکتروپلیمر شدن توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کرده است.

۲-۴-۱- پلیمر شدن شیمیایی
پلیمر شدن شیمیایی مونومر­های پلیمر­های رسانا توسط اکسیدان­های شیمیایی نسبتاً قوی نظیر آمونیوم­پرسولفات (APS) یون­های فریک، آنیون­های پرمنگنات یا بی­کرومات و یا هیدروژن­پراکساید صورت می­گیرد. این اکسیدان­ها، توانایی اکسید کردن مونومر­ها را در یک محلول مناسب و تشکیل رادیکال کاتیون­های فعال شیمیایی از مونومر­های مورد استفاده را دارند. رادیکال کاتیون­های تشکیل شده، با مولکول­های مونومر واکنش داده و تشکیل الیگومر­ها و یا پلیمر­های نامحلول می­ دهند. پلیمر شدن شیمیایی در کل محلول رخ می­دهد و پلیمر­های حاصل به صورت جامدات نامحلول رسوب می­ کنند. البته برخی از پلیمر­های رسانای الکتریکی را می­توان به روش پلیمر شدن شیمیایی بر روی سطح مواد مختلف که در محلول فرو برده شده ­اند نشاند که در این حالت نیز مقداری پلیمر در خود محلول رسوب می­ کند. لذا در حالتی که نیاز به پوشش­دهی است، باید میزان پلیمر رسوب کننده در خود محلول را کاهش داد. با تنظیم غلظت محلول و اجزای آن، نسبت غلظت اکسیدان به مونومر، دمای واکنش، عملیات مناسب سطح مورد نظر برای پوشش، می توان به این مهم دست یافت. با این حال در این حالت نیز، پلیمر شدن در کل محلول به طور کامل متوقف نخواهد شد.
پلیمر شدن شیمیایی را مستقیماً نیز می­توان بر روی سطح مورد نظر انجام داد. برای این کار سطح مورد نظر برای پوشش­دهی توسط مونومر و یا ماده اکسیدان غنی می شود^[۴۸][۱۲]. پس از آن به ترتیب با محلول اکسیدان و مونومر واکنش داده می­ شود. مزیت این روش انجام پلیمر شدن به طور کامل بر روی سطح مورد نظر است و در درون خود محلول پلیمر شدنی صورت نمی­گیرد. در این روش سطح مورد نظر توسط مونومر به وسیله جذب از محلول و یا توسط اکسیدان به وسیله مکانیزم تبادل یونی و یا با لایه نشانی یک لایه نامحلول اکسیدان پوشیده می­ شود. عیب این روش محدودیت موادی است که می­توان با لایه­ای از مونومر یا اکسیدان در مرحله­ ای جداگانه پیش از پلیمر شدن پوشش داد یا غنی کرد. علاوه بر این، پوشش تهیه شده در این روش، یکنواخت و با ضخامت یکسان در تمامی نقاط نخواهد بود. لذا روش کنترل شده­تری برای تهیه پوشش مورد نیاز است[۵].
۲-۴-۲-پلیمرشدن الکتروشیمیایی
پلیمرشدن الکتروشیمیایی و یا به عبارتی الکتروپلیمرشدن، یکی از روش­های اساسی در تهیه پلیمر­های رسانای الکتریکی است. اولین گزارش در زمینه الکتروپلیمرشدن، اکسیدشدن پیرول در سطح الکترود پلاتین در حضور الکترولیت کمکی و تهیه یک فیلم رسانای الکتریکی در سال ۱۹۶۸ ارائه شده است. پس از آن بسیاری از پلیمر­های دیگر سیستم­های آروماتیک به طور مشابه الکتروپلیمریزه شده ­اند. از آن جمله می­توان به تیوفن، فوران، کربازول، آنیلین، فنول و… اشاره کرد[۱۴].
تفاوت روش الکتروپلیمرشدن با پلیمرشدن شیمیایی، در استفاده از الکترود و جریان الکتریکی برای فرایند پلیمرشدن است. در این روش با عبور جریان الکتریکی بین دو الکترود که درون محلول مونومر و یک الکترولیت کمکی به عنوان ماده تقویت کننده قرار دارد، پلیمر بر روی سطح الکترود تشکیل می­ شود. الکتروپلیمرشدن را می­توان در سلول­های تک قسمتی^[۴۹] و یا دو قسمتی و با بهره گرفتن از دو الکترود و یا سیستم سه الکترودی انجام داد. الکتروپلیمر شدن را با تکنیک­های مختلفی نظیر گالوانواستاتیک^[۵۰] (با جریان ثابت)، پتانسیواستاتیک^[۵۱] (با ولتاژ ثابت)، روش­های پالسی (نظیر پتانسیو استاتیک پالسی)، ولتامتری چرخه­ای و … می­توان انجام داد. شرایط پتانسیواستاتیک برای تهیه فیلم­های نازک و شرایط گالوانواستاتیک برای تهیه فیلم­های ضخیم پیشنهاد می­ شود[۹].
این در حالی است که از ولتامتری چرخه­ای، بیشتر برای بررسی مکانیزم پلیمرشدن و ارزیابی مشخصات فیلم پلیمری حاصل استفاده می­ شود. علت توجه زیاد به روش الکتروپلیمرشدن را می­توان مواردی نظیر سادگی روش، تهیه پوشش یکنواخت و پیوسته، انجام فرایند تقویت پلیمر هم­زمان با فرایند ایجاد پلیمر، انتخاب گسترده­تر کاتیون­ها و آنیون­ها به عنوان یون­های تقویت­کننده دانست. همچنین ایجاد ضخامت مورد نیاز پوشش و یا فیلم، تغییر و کنترل خواص پلیمر تشکیل شده با کنترل پارامتر­هایی نظیر چگالی جریان، غلظت و نوع مونومر، امکان آنالیز و دیده­بانی فرایند تهیه پلیمر به طور هم­زمان از دیگر ویژگی­های جالب الکتروپلیمرشدن است. در نهایت به انجام فرایند پلیمرشدن و پوشش­دهی در یک مرحله و در نتیجه صرفه­جویی در انرژی و امکان اتوماسیون فرایند، امکان استفاده از محلول­های آبی و در نتیجه سهولت و کاهش هزینه­ های دفع مواد اضافی می­توان اشاره کرد[۱۵].
در فصل آینده درباره الکتروپلیمرشدن شیمیایی، مکانیزم الکتروپلیمرشدن و عوامل موثر بر آن با محوریت تیوفن به تفصیل بحث خواهد شد.
۲-۵- رسانایی پلیمر­های رسانا
رسانایی الکتریکی به انتقال بار از یک محیط الکتریکی به انتقال بار از یک محیط تحت تاثیر میدان الکتریکی و یا شیب حرارتی گفته می­ شود. این رسانایی به تعداد عوامل انتقال بار و میزان تحرک آن­ها نیز بستگی دارد[۵ و۸].
(۲-۱)
در رابطه ۲-۱ e بار الکتریکی، µ تحرک وn تعداد الکترون­هاست و رسانایی با نماد σ نشان داده شده است. رسانایی به صورت عکس مقاومت ویژه ρ نیز در رابطه ۲-۲ تعریف می­ شود:
(۲-۲)
در این رابطه R مقاومت در مقابل عبور جریان الکتریکی است و l طول رسانا و A سطح مقطع آن است و ρ مقاومت ویژه است که مستقل از ولتاژ، جریان یا شکل رسانا است و تنها به جنس خود ماده بستگی دارد. ρ دارای واحد m Ω است و واحد رسانایی ^۱-m ^۱-Ω است. ^۱-Ω را با نمادS (زیمنس) نیز نشان می­ دهند، پس واحد رسانایی Sm^-1 است و بر این اساس رسانایی مواد مختلف با هم مقایسه می­شوند[۸].
مواد از نظر توانایی رسانش الکتریسته به سه دسته تقسیم می­شوند: رسانا­ها، نیم­رسانا­ها، عایق­ها.
در شکل ۲-۳ رسانایی مواد مختلف باهم مقایسه شده است.

شکل ۲-۳ مقایسه رسانایی مواد مختلف[۸].
در شکل رسانایی مواد از عایق­ترین مواد شناخته شده در جهان (کوارتز) تا رسانا­ترین فلزات مقایسه شده ­اند. رسانایی کوارتز ^۱۶-۱۰ زیمنس بر متر است و با حرکت به سمت راست رسانایی افزایش می­یابد. نیمه­رسانا­هایی مثل سیلیکون و ژرمانیوم در میانه این گستره قرار دارند و رسانایی نقره و مس در حدود ۱۰^۸ زیمنس بر متر است. پلیمر­های رسانا نخست در دسته عایق­ها قرار دارند. اما با تقویت می­توان رسانایی آن­ها را تا نیمه­رسانا­ها و حتی تا محدوده فلزات بالا برد.

شکل ۲-۴ رسانایی پلیمر­های رسانای مختلف با مس مقایسه شده است[۱۶].
رسانایی الکتریکی براساس نظریه کلاسیک نوار توضیح داده می­ شود. این نظریه رفتار فلزات، نیمه رساناها و مواد نارسانا را توجیه می­ کند. پرسشی که در این­جا مطرح است این است که آیا این نظریه توانایی توضیح رسانایی در پلیمر­های رسانا را دارد یا خیر. برای پاسخ به این پرسش به بررسی اجمالی این نظریه پرداخته خواهد شد.
۲-۵-۱-نظریه نوار
چنان­که می­دانیم در همه مولکول­ها در اثر تداخل اوربیتال­های اتمی و تشکیل اوربیتال­های مولکولی دو نوار انرژی^[۵۲] به وجود می ­آید که به آن­ها نوار ظرفیت^[۵۳] یا نوار والانس و نوار هدایت^[۵۴] یا رسانایی می­گویند. نوار ظرفیت در اثر تداخل اوربیتال­های پر شده و نوار هدایت در اثر تداخل اوربیتال­های پر نشده به وجود می ­آید. به اختلاف انرژی که بین نوار ظرفیت و نوار هدایت وجود دارد، شکاف انرژی^[۵۵] یا شکاف نواری^[۵۶] می­گویند. این شکاف برای فلزات بسیار کوچک یا صفر است و به همین دلیل در فلزات الکترون­ها به راحتی از نوار هدایت به نوار ظرفیت می­روند و فلزات می­توانند رسانا­های خوبی باشند[۸ و۱۷].
در نیمه رسانا­ها شکاف باریکی وجود دارد. رسانایی نیمه رسانا­ها با افزایش دما افزایش می­یابد، چون الکترون­ها انرژی لازم برای پیمودن شکاف نواری را بدست می­آورند. در نارسانا­ها این شکاف بسیار پهن است و امکان این­که الکترونی انرژی لازم برای پیمودن شکاف نواری را کسب کند ضعیف است[۱۷].این نوار­ها در شکل ۲-۵ نشان داده شده اند.
شکل ۲-۵ نوارهای انرژی در رسانا­ها، نیمه­رسانا­ها و نارسانا­ها[۸].
اکنون پلیمر­های رسانا را از دیدگاه نظریه نوار بررسی می­کنیم. شکل ۲-۶ a,b یک زنجیر خنثی را نشان می­دهد و در شکل c یک سولیتون^[۵۷](یک زنجیر پلیمر رادیکالی) مشاهده می شود .چنان­که دیده می­ شود در زنجیر خنثی همه پیوند­های دوگانه در یک جهت قرار دارند، اما در سولیتون که یک رادیکال است جهت پیوند­ها در دو سمت تک الکترون متفاوت است. سولیتون­ها به علل متفاوتی به وجود می­آیند که از آن جمله می­توان به وجود نقص در زنجیر پلیمری و یا اتصال زنجیر از دو سمت به یکدیگر اشاره کرد و گاهی نیز سولیتون­ها خود ناشی از عمل تقویت هستند[۱۸].
شکل ۲-۶ تغییرات زنجیر پلیمر در اثر تقویت[۱۸].
در شکل d در اثر اکسایش، یک الکترون از سولیتون جدا می­ شود، این الکترون از آخرین اوربیتال اشغال شده^[۵۸] (HOMO) جدا می­ شود و این اوربیتال خالی می­ شود در نتیجه نوار هدایت کمی پهن­تر می­ شود، که جا­به­جایی الکترون در شکاف نواری را کمی ساده­تر می­ کند. در شکل e در اثر تقویت یک الکترون­دهنده یک الکترون به سولیتون می دهد و این الکترون در اوربیتال نیمه­پر قبلی قرار می­گیرد، این اوربیتال تکمیل می­ شود و نوار ظرفیت را کمی پهن­تر می­ کند یا شکاف نواری کوچک­تر می­ شود. در شکل f زنجیر خنثی در اثر اکسایش الکترون خود را از دست می­دهد و یک الکترون از HOMO خارج می­ شود و در شکلg یک الکترون در اولین اوربیتال اشغال نشده^[۵۹] (LUMO) قرار می گیرد و این بار نوار ظرفیت پهن­تر می­ شود. شکل ۲-۷ این رخداد­ها را از دیدگاه شکاف­های نواری بررسی می­ کند[۱۸].
شکل ۲-۷ در اثر تقویت شکاف نواری باریک­تر می­ شود[۱۸].
بنابراین اکسایش و کاهش زنجیر پلیمر شکاف نواری را باریک­تر می­ کند و یا یک شکاف حد واسط^[۶۰] ایجاد می­ کند که جا­به­جایی الکترون را آسان­تر می­ کند. این نظریه مسائلی از این دست که چرا تقویت باعث افزایش رسانایی می­ شود را به خوبی توجیه می­ کند، اما نقص­هایی هم دارد.
در نظریه نوار اجزای انتقال بار، دارای اسپین هستند، اما در مواد آلی رسانا نظیر پلی­استیلن و پلی­پیرول نظریه نوار نمی تواند علت نداشتن اسپین اجزای انتقال بار (الکترون­ها یا حفره­ها) را توضیح کند. برای توضیح انتقال بار نظریه جدیدی در این زمینه به وجود آمد.
۲-۵-۲- مکانیزم رسانایی پلیمر­های رسانا
هنگامی که در فرایند تقویت کردن پلیمر، یک الکترون از زنجیره پلیمری جدا می­ شود، یک رادیکال کاتیون ایجاد می­ شود که دارای اسپین است و پلارون نام دارد. پلارون قابلیت حرکت بر روی تعدادی مونومر را دارد. علت نامگذاری پلارون پلاریزه شدن محیط اطراف این رادیکال کاتیون به منظور پایداری است. این پلاریزه شدن باعث ایجاد یک سطح تهییج شده الکترونیکی می­گردد و لذا سطح انرژی موضعی را از میزان نوار ظرفیت افزایش داده و به درون شکاف نواری می­رساند. حال چنان­چه الکترون دیگری از پلیمر توسط توسط فرایند تقویت کردن خارج شود، می ­تواند یک پلارون دیگر ایجاد کند و یا اگر از پلارون قبلی الکترون دیگری گرفته شود؛ یک بای­پلارون ایجاد می­ شود. بای­پلارون یک عامل بدون اسپین است. تشکیل این عامل انتقال بار بدون اسپین می ­تواند فقدان اسپین مشاهده شده در نیمه­رسانا­ها را نیز توضیح دهد. پلارون­ها نسبت به بای­پلارون­ها ناپایدارتر­ند و لذا تمایل به سطوح تقویت بالاتری دارند. با وجود این برخی از خواص ناشی از حضور اسپین هنوز در پلیمر باقی می­ماند که علت آن حضور پلارون­های به دام افتاده در عیوب شبکه و یا تجزیه گرمایی بای­پلارون­ها­ست. با افزایش میزان تقویت، سطوح انرژی بای­پلارون می ­تواند نوار­هایی درون نوار تشکیل دهند و لذا رسانایی تسهیل می­ شود[۵ و ۱۶](شکل۲-۸).

شکل ۲-۸ ایجاد نوارهای حد واسط در شکاف نواری پلیمر­ها[۱۶].
۲-۶-کاربرد پلیمر­های رسانا
کاربرد­ پلیمر­های رسانا در صنایع و نقش انکارناپذیر این مواد در زندگی امروزی چنان­که گفته شد، گسترده­تر از آن است که مجال بحث در مورد یکایک آن­ها در این­جا فراهم باشد. به پاره­ای از مهم­ترین کاربرد­های این مواد اشاره می­ شود:
۲-۶-۱-باتری­های با قابلیت شارژ مجدد^[۶۱]: از پلی­پیرول، پلی­استیلن و …در ساخت این باتری­ها استفاده می­ شود و این باتری­ها در رایانه­های همراه، گوشی­های تلفن همراه و … کاربرد دارند. باتری­های قابل شارژ ساخته شده از این مواد نسبت به باتری­های لیتیومی موجود در بازار عمر طولانی­تر، وزن کمتر و رسانایی بالا­تر دارند و در برابر شارژ بیش از حد و نشت مواد شیمیایی مقاوم هستند[۱۹].
۲-۶-۲- وسایل الکتروکرومیک: وجود یک چرخه برگشت­پذیر بین عایق و رسانا و همچنین تفاوت رنگ در حالت عایق و رسانا این مواد را مناسب برای کاربرد در انواع نمایشگر­ها و تابلو­های اعلام کرده است[۱۹].
۲-۶-۳- کاربرد­های پزشکی: استفاده از پلیمر­های مزدوج در پزشکی بسیار گسترده و رو به افزایش است. از این دسته کاربردهای جالب می­توان به ماهیچه­های مصنوعی، عصب مصنوعی، غشای زیست­پزشکی و کنترل رهایش دارو اشاره کرد[۲۰و۲۲].
۲-۶-۴- حسگر­ها: انواع حسگر­های گازی و زیست حسگر­ها با کاربرد­های متنوع با بهره گرفتن از انواع پلیمر­های رسانا ساخته شده است. به عنوان مثال این حسگر­ها در تشخیص مواد سمی و خطرناک برای انسان در کارخانه­ها، انبارها، معادن و … به کار می­روند.کاربرد وسیع این حسگر­ها باعث شده است که تلاش­ های زیادی برای بهبود عملکرد حسگر­های ساخته شده از این مواد صورت گیرد. حسگر­هایی ساخته شده ­اند که به غلظت­های در حد ppb حساس هستند[۲۱].