__

 

۰٫۰۰۱۵۳۲

 

۲۶۸٫۵۴

 

 

 

۳۹۰

 

۰٫۱۰۷۳

 

۰٫۳۲۱

 

 

 

۴۱۰

 

۰٫۰۷۴۶

 

۰٫۳۱۴

 

 

 

۴-۳-۲) بررسی منحنی ­های جریان- ولتاژ در دماهای مختلف و فاصله الکترودی ثابت و همچنین بررسی منحنی ­های توان الکتریکی(IV) بر حسب
نمودارهای جریان- ولتاژ و وابستگی ولتاژ آستانه کلیدزنی در دماهای مختلف در فاصله الکترودی مشخص برای نمونه های با درصد مولی بررسی نموده­ایم. و همانند بخش قبل با کمک مدل الکتروگرمایی به محاسبه انرژی فعالسازی الکتریکی و فاکتور اتلاف گرما پرداخته ایم که نمودارها و نتایج مربوطه به محاسبات انجام شده در شکل های (۴-۱۹) تا (۴-۳۳) و جدول (۴-۲) آمده است.
پایان نامه
شکل ۴-۱۹) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb5 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۳۰۰ میکرون
شکل ۴-۲۰) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb5 در دمای K 353.66 و فاصله الکترودی ۳۰۰ میکرون
شکل ۴-۲۱) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb5 در دمای K 375 و فاصله الکترودی ۳۰۰ میکرون
شکل ۴-۲۲) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb8 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۲۴۰ میکرون
شکل ۴-۲۳) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb8 در دمای K 345 و فاصله الکترودی ۲۴۰ میکرون
شکل ۴-۲۴) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb8 در دمای K 366 و فاصله الکترودی ۲۴۰ میکرون
شکل ۴-۲۵) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb10 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۲۱۰ میکرون
شکل ۴-۲۶) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb10 در دمای K 348 و فاصله الکترودی ۲۱۰ میکرون
شکل ۴-۲۷) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb10 در دمایK 370.66 و فاصله الکترودی ۲۱۰ میکرون
شکل ۴-۲۸) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb12 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۲۴۰ میکرون
شکل ۴-۲۹) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb12در دمایK 339.33 و فاصله الکترودی ۲۴۰ میکرون
شکل ۴-۳۰) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb12 در دمای K 369 و فاصله الکترودی ۲۴۰ میکرون
شکل ۴-۳۱) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb15 در دمای K 298 و فاصله الکترودی ۳۴۰ میکرون
شکل ۴-۳۲) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb15 در دمای K 340 و فاصله الکترودی ۳۴۰ میکرون
شکل ۴-۳۳) a: منحنی مشخصه ی ولتاژ- جریان، b: نمودار توان الکتریکی (IV) بر حسب
c: قسمت خطی این نمودار برای نمونه TVSb15 در دمایK 370.33 و فاصله الکترودی ۳۴۰ میکرون
در شکل­های (۴-۱۹) تا (۴-۳۳) منحنی­های مشخصه ولتاژ-جریان نمونه­های TVSbx، در دماهای مختلف به دست آمده است و دیده می­ شود که ولتاژ آستانه شروع رفتار مقاومت دیفرانسیلی منفی(یا به عبارت بهتر کلیدزنی) با افزایش دما کاهش می­یابد. همانگونه که می دانیم، چنین رفتاری را که در آن نمونه بصورت خودبخودی از شاخه­ مقاومت الکتریکی زیاد به شاخه با مقاومت الکتریکی کم گذر می­ کند، پدیده کلید زنی می­نامند و می ­تواند در کلید زن­های الکتریکی سریع مورد استفاده قرار گیرد. چنین رفتاری در نمونه­های]TeO2-V2O523[، ]TeO2-V2O5-MoO328[، ]TeO2-V2O5-P2O552[ و [۳۲] P2O5 –Li2MoO4-Li2O (Na2O) و…. گزارش شده است. همچنین، با ملاحظه منحنی­های مذکور در می­یابیم که در میدان­های الکتریکی ضعیف نمونه­ها رفتار اهمی داشته اما در میدان­های الکتریکی قوی این رفتار مشاهده نمی­ شود و رسانش غیر اهمی و انحراف از رفتار خطی قابل مشاهده است. چنین رفتاری در نیمرساناهای آمورف گزارش شده است]۵۲و۲۳و۲۸و۳۲[. بررسی رفتار رسانشی نمونه­ها نشان می­دهد که با افزایش دما رسانش الکتریکی جریان مستقیم نمونه­ها افزایش می­یابد و رفتار نیمرسانایی آنها را تأیید می­نماید.
جدول (۴-۲) مقادیر ضریب اتلاف گرما (α)، انرژی فعالسازی (Ea) در دماهای مختلف، دمای گذار شیشه ای Tg، گاف انرژی نوری Egaf و مقاومت الکتریکی نمونه ها R برای نمونه های TVSbx در فاصله الکترودی مشخص برای هر نمونه

موضوعات: بدون موضوع  لینک ثابت


فرم در حال بارگذاری ...